ReRAM – rezistivní paměť RAM, která uchovává uloženou informaci i po odpojení od zdroje energie. Tato paměť by měla vykazovat hysterezi v odporu, tj. uchovávat hodnotu elektrického odporu. V současnosti (2014) je vyvíjena více společnostmi (Rambus, Panasonic, Crossbar), je založena na perovskitech, oxidech kovů, oxidu křemíku nebo chalkogenitech. Paměť tohoto typu se chová jako memristor, čtvrtá základní elektrotechnická součástka.

Zpět  Glosář

---